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BORN SI2302S
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SI2302S |
| Référence EBEE | E8431493 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 20V 3A 48mΩ@4.5V,3A 800mW 400mV@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0199 | $ 0.3980 |
| 200+ | $0.0174 | $ 3.4800 |
| 600+ | $0.0160 | $ 9.6000 |
| 3000+ | $0.0130 | $ 39.0000 |
| 9000+ | $0.0122 | $ 109.8000 |
| 21000+ | $0.0118 | $ 247.8000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | BORN SI2302S | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 48mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -50℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 25pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 800mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 400mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 160pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Guide d’achat
Développer
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0199 | $ 0.3980 |
| 200+ | $0.0174 | $ 3.4800 |
| 600+ | $0.0160 | $ 9.6000 |
| 3000+ | $0.0130 | $ 39.0000 |
| 9000+ | $0.0122 | $ 109.8000 |
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