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BL(Shanghai Belling) BLP065N08G-D
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | BLP065N08G-D |
| Référence EBEE | E83031694 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| Description | 85V 80A 156.2W 6.5mΩ@10V,50A 4V@250uA TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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| 10+ | $0.3727 | $ 3.7270 |
| 30+ | $0.3320 | $ 9.9600 |
| 100+ | $0.2897 | $ 28.9700 |
| 500+ | $0.2173 | $ 108.6500 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 6.5mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 11.7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 156.2W | |
| Drain to Source Voltage | 85V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.219nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 490pF | |
| Gate Charge(Qg) | 61.2nC |
Guide d’achat
Développer
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| 30+ | $0.3320 | $ 9.9600 |
| 100+ | $0.2897 | $ 28.9700 |
| 500+ | $0.2173 | $ 108.6500 |
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