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ANHI AUN084N10
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | AUN084N10 |
| Référence EBEE | E85440026 |
| Boîtier | DFN-8(5x6) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 100V 68A 66W 8.4mΩ 2V DFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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|---|---|---|
| 1+ | $0.4704 | $ 0.4704 |
| 10+ | $0.3961 | $ 3.9610 |
| 30+ | $0.3590 | $ 10.7700 |
| 100+ | $0.3296 | $ 32.9600 |
| 500+ | $0.3033 | $ 151.6500 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | ANHI AUN084N10 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 8.4mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 30pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 66W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 68A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.93nF | |
| Gate Charge(Qg) | 41.7nC |
Guide d’achat
Développer
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| 100+ | $0.3296 | $ 32.9600 |
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