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ANHI AUN065N10
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | AUN065N10 |
| Référence EBEE | E85440027 |
| Boîtier | DFN-8(5x6) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 100V 76A 91W 6.5mΩ 2V DFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5029 | $ 0.5029 |
| 10+ | $0.4224 | $ 4.2240 |
| 30+ | $0.3822 | $ 11.4660 |
| 100+ | $0.3528 | $ 35.2800 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | ANHI AUN065N10 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 6.5mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 64pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 91W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 76A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.729nF | |
| Gate Charge(Qg) | 67nC |
Guide d’achat
Développer
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| 100+ | $0.3528 | $ 35.2800 |
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