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ANHI AUN050N08BGL
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | AUN050N08BGL |
| Référence EBEE | E818723005 |
| Boîtier | DFN5x6-8 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 85V 65A 151W 4.3mΩ 2.1V 1 N-Channel DFN(5x6) MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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| 10+ | $0.4083 | $ 4.0830 |
| 30+ | $0.3830 | $ 11.4900 |
| 100+ | $0.3561 | $ 35.6100 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | ANHI AUN050N08BGL | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 5mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 107.1pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 151W | |
| Drain to Source Voltage | 85V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 65A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.553nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.215nF | |
| Gate Charge(Qg) | 63.7nC@10V |
Guide d’achat
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| 100+ | $0.3561 | $ 35.6100 |
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