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ANHI ASM65R265E
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | ASM65R265E |
| Référence EBEE | E85440041 |
| Boîtier | DFN8x8 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 650V 15A 230mΩ 125W 3.5V DFN8x8 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1110 | $ 1.1110 |
| 10+ | $0.9957 | $ 9.9570 |
| 30+ | $0.9318 | $ 27.9540 |
| 100+ | $0.8617 | $ 86.1700 |
| 500+ | $0.8290 | $ 414.5000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | ANHI ASM65R265E | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 230mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 125W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 15A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.16nF | |
| Gate Charge(Qg) | 23.2nC |
Guide d’achat
Développer
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| 100+ | $0.8617 | $ 86.1700 |
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