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ANHI ASM60R330E
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | ASM60R330E |
| Référence EBEE | E85440039 |
| Boîtier | DFN8x8 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 650V 11A 330mΩ 176W 2.8V@250uA 1 N-channel DFN8x8 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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|---|---|---|
| 1+ | $0.8437 | $ 0.8437 |
| 10+ | $0.7201 | $ 7.2010 |
| 30+ | $0.6521 | $ 19.5630 |
| 100+ | $0.5872 | $ 58.7200 |
| 500+ | $0.5470 | $ 273.5000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | ANHI ASM60R330E | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 330mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 6.4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 176W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.082nF | |
| Gate Charge(Qg) | 22nC |
Guide d’achat
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| 10+ | $0.7201 | $ 7.2010 |
| 30+ | $0.6521 | $ 19.5630 |
| 100+ | $0.5872 | $ 58.7200 |
| 500+ | $0.5470 | $ 273.5000 |
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