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ANHI ASD65R350E
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | ASD65R350E |
| Référence EBEE | E85440010 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 700V 11A 350mΩ 83W 3.5V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6166 | $ 0.6166 |
| 10+ | $0.5177 | $ 5.1770 |
| 30+ | $0.4698 | $ 14.0940 |
| 100+ | $0.4312 | $ 43.1200 |
| 500+ | $0.3972 | $ 198.6000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | ANHI ASD65R350E | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 350mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 5.3pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Drain to Source Voltage | 700V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11A | |
| Ciss-Input Capacitance | 901pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Guide d’achat
Développer
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| 30+ | $0.4698 | $ 14.0940 |
| 100+ | $0.4312 | $ 43.1200 |
| 500+ | $0.3972 | $ 198.6000 |
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