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amsem 2N7002KDW
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N7002KDW |
| Référence EBEE | E87528886 |
| Boîtier | SOT-363 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 115mA 3Ω@10V,500mA 120mW 2.5V@250uA 1 N-channel SOT-363 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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|---|---|---|
| 20+ | $0.0274 | $ 0.5480 |
| 200+ | $0.0214 | $ 4.2800 |
| 600+ | $0.0180 | $ 10.8000 |
| 3000+ | $0.0160 | $ 48.0000 |
| 9000+ | $0.0143 | $ 128.7000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | amsem 2N7002KDW | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 3Ω@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 120mW | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 115mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 35pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Guide d’achat
Développer
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| 3000+ | $0.0160 | $ 48.0000 |
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