| Fabricant | |
| Référence Fabricant | AOTF5B65M1 |
| Référence EBEE | E817308164 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 25W 10A 650V TO-220 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6740 | $ 2.6740 |
| 10+ | $2.6144 | $ 26.1440 |
| 30+ | $2.5766 | $ 77.2980 |
| 100+ | $2.5369 | $ 253.6900 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 10A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 25W | |
| Retournez-vous ? Délai de retard (Td(off)) | 106ns | |
| Retournez-vous ? sur l'heure de retard (Td(on)) | 8.5ns | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 650V | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 1.98V@15V,5A | |
| Charge totale sur les Portes (Qg-Ic, Vge) | 14nC | |
| Délai de récupération inverse de la diode (Trr) | 195ns |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6740 | $ 2.6740 |
| 10+ | $2.6144 | $ 26.1440 |
| 30+ | $2.5766 | $ 77.2980 |
| 100+ | $2.5369 | $ 253.6900 |
