| Fabricant | |
| Référence Fabricant | AOTF190A60L |
| Référence EBEE | E8454182 |
| Boîtier | TO-220F-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 20A 0.19Ω@10V,7.6A 32W 4.6V@250uA 1 N-Channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3607 | $ 1.3607 |
| 10+ | $1.1130 | $ 11.1300 |
| 50+ | $0.9781 | $ 48.9050 |
| 100+ | $0.8256 | $ 82.5600 |
| 500+ | $0.7574 | $ 378.7000 |
| 1000+ | $0.7272 | $ 727.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Alpha & Omega Semicon AOTF190A60L | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 190mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 1.25pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 32W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.935nF | |
| Gate Charge(Qg) | 34nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3607 | $ 1.3607 |
| 10+ | $1.1130 | $ 11.1300 |
| 50+ | $0.9781 | $ 48.9050 |
| 100+ | $0.8256 | $ 82.5600 |
| 500+ | $0.7574 | $ 378.7000 |
| 1000+ | $0.7272 | $ 727.2000 |
