| Fabricant | |
| Référence Fabricant | AOTF10B65M2 |
| Référence EBEE | E817541271 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30W 20A 650V TO-220 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4275 | $ 1.4275 |
| 200+ | $0.5696 | $ 113.9200 |
| 500+ | $0.5513 | $ 275.6500 |
| 1000+ | $0.5422 | $ 542.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 20A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 30W | |
| Retournez-vous ? Délai de retard (Td(off)) | 91ns | |
| Retournez-vous ? sur l'heure de retard (Td(on)) | 12ns | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 650V | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 2V@15V,10A | |
| Charge totale sur les Portes (Qg-Ic, Vge) | 24nC | |
| Délai de récupération inverse de la diode (Trr) | 262ns |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4275 | $ 1.4275 |
| 200+ | $0.5696 | $ 113.9200 |
| 500+ | $0.5513 | $ 275.6500 |
| 1000+ | $0.5422 | $ 542.2000 |
