| Fabricant | |
| Référence Fabricant | AGM628MAP |
| Référence EBEE | E822364308 |
| Boîtier | PDFN-8(3.3x3.3) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | None |
| Description | 60V 25A 35W 1 N-Channel + 1 P-Channel PDFN-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2284 | $ 1.1420 |
| 50+ | $0.1838 | $ 9.1900 |
| 150+ | $0.1647 | $ 24.7050 |
| 500+ | $0.1409 | $ 70.4500 |
| 2500+ | $0.1302 | $ 325.5000 |
| 5000+ | $0.1239 | $ 619.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | AGM-Semi AGM628MAP | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 25A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 30mΩ@10V,15A;44mΩ@10V,15A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 35W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1.5V@250uA;1.7V@250uA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 0.868nF@30V;0.748nF@30V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 19nC@10V;25nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2284 | $ 1.1420 |
| 50+ | $0.1838 | $ 9.1900 |
| 150+ | $0.1647 | $ 24.7050 |
| 500+ | $0.1409 | $ 70.4500 |
| 2500+ | $0.1302 | $ 325.5000 |
| 5000+ | $0.1239 | $ 619.5000 |
