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AGM-Semi AGM628MAP


Fabricant
Référence Fabricant
AGM628MAP
Référence EBEE
E822364308
Boîtier
PDFN-8(3.3x3.3)
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
None
Description
60V 25A 35W 1 N-Channel + 1 P-Channel PDFN-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
5+$0.2284$ 1.1420
50+$0.1838$ 9.1900
150+$0.1647$ 24.7050
500+$0.1409$ 70.4500
2500+$0.1302$ 325.5000
5000+$0.1239$ 619.5000
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TypeDescription
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CatégorieTransistors/Thyistors ,MOSFET
Fiche TechniqueAGM-Semi AGM628MAP
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+150℃@(Tj)
Type1 N-Channel + 1 P-Channel
Tension de source de égout (Vdss)60V
Courant de drainage continu (Id)25A
Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id)30mΩ@10V,15A;44mΩ@10V,15A
Dissipation de puissance (Pd)35W
Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id)1.5V@250uA;1.7V@250uA
Capacité d'entrée (Ciss-Vds)0.868nF@30V;0.748nF@30V
Charge totale de la Portail (Qg-Vgs)19nC@10V;25nC@10V

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