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AGM-Semi AGM500P20D
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | AGM500P20D |
| Référence EBEE | E817701063 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 200V 12A 500mΩ@10V,5A 35W 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2416 | $ 1.2080 |
| 50+ | $0.1945 | $ 9.7250 |
| 150+ | $0.1742 | $ 26.1300 |
| 500+ | $0.1489 | $ 74.4500 |
| 2500+ | $0.1339 | $ 334.7500 |
| 5000+ | $0.1271 | $ 635.5000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | AGM-Semi AGM500P20D | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 Piece P-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 200V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 12A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 500mΩ@10V,5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 35W | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.21nF@160V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 35nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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|---|---|---|
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| 50+ | $0.1945 | $ 9.7250 |
| 150+ | $0.1742 | $ 26.1300 |
| 500+ | $0.1489 | $ 74.4500 |
| 2500+ | $0.1339 | $ 334.7500 |
| 5000+ | $0.1271 | $ 635.5000 |
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