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AGM-Semi AGM18N10AP
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | AGM18N10AP |
| Référence EBEE | E87509649 |
| Boîtier | PDFN-8(3.3x3.3) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 100V 35A 45W 17mΩ@10V,12A 1.6V@250uA 1 N-channel PDFN-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1458 | $ 0.7290 |
| 50+ | $0.1159 | $ 5.7950 |
| 150+ | $0.1030 | $ 15.4500 |
| 500+ | $0.0871 | $ 43.5500 |
| 2500+ | $0.0799 | $ 199.7500 |
| 5000+ | $0.0757 | $ 378.5000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | AGM-Semi AGM18N10AP | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 100V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 35A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 17mΩ@10V,12A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 45W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1.6V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 5.3pF@50V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 12.5nC@10V |
Guide d’achat
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|---|---|---|
| 5+ | $0.1458 | $ 0.7290 |
| 50+ | $0.1159 | $ 5.7950 |
| 150+ | $0.1030 | $ 15.4500 |
| 500+ | $0.0871 | $ 43.5500 |
| 2500+ | $0.0799 | $ 199.7500 |
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