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AGM-Semi AGM12N10AP
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | AGM12N10AP |
| Référence EBEE | E817701055 |
| Boîtier | PDFN3.3x3.3-8 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 100V 55A 9.3mΩ@10V,20A 83W 1.8V@250uA 1 N-Channel PDFN3.3x3.3 MOSFETs ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | AGM-Semi AGM12N10AP | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 9.3mΩ@10V | |
| Number | 1 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Drain to Source Voltage | 100V |
Guide d’achat
Développer
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