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AGM-Semi AGM01P15AP
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | AGM01P15AP |
| Référence EBEE | E87466531 |
| Boîtier | PDFN3.3x3.3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 100V 10.5A 315mΩ@10V,6A 33W 1.9V@250uA 1 Piece P-Channel PDFN3.3x3.3 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1694 | $ 0.8470 |
| 50+ | $0.1352 | $ 6.7600 |
| 150+ | $0.1205 | $ 18.0750 |
| 500+ | $0.1022 | $ 51.1000 |
| 2500+ | $0.0941 | $ 235.2500 |
| 5000+ | $0.0891 | $ 445.5000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | AGM-Semi AGM01P15AP | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 Piece P-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 100V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 10.5A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 315mΩ@10V,6A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 33W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1.9V@250uA | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 33nC@10V |
Guide d’achat
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| 50+ | $0.1352 | $ 6.7600 |
| 150+ | $0.1205 | $ 18.0750 |
| 500+ | $0.1022 | $ 51.1000 |
| 2500+ | $0.0941 | $ 235.2500 |
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