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Tokmas CID18N65D
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | CID18N65D |
| Código de Pieza EBEE | E822446733 |
| Paquete | DFN-8(8x8) |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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723 disponible para envío inmediatoPuede Enviarse en 1-2 Días Hábiles
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
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|---|---|---|
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| 10+ | $1.0354 | $ 10.3540 |
| 30+ | $0.9124 | $ 27.3720 |
| 100+ | $0.7878 | $ 78.7800 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Gallium Nitride (GaN) ,Transitores GaN (GaN HEMT) | |
| Hoja de Datos | Tokmas CID18N65D | |
| RoHS | ||
| Tipo | 1 N-channel | |
| RDS (on) | 100mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+150℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 0.5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 113W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 17A | |
| Ciss-Input Capacitance | 125pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3.3nC |
Guía de compra
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723 Stock for Shipping Fast
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| 1+ | $1.2596 | $ 1.2596 |
| 10+ | $1.0354 | $ 10.3540 |
| 30+ | $0.9124 | $ 27.3720 |
| 100+ | $0.7878 | $ 78.7800 |
| 500+ | $0.7255 | $ 362.7500 |
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