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HXY MOSFET HCG65200DBA
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | HCG65200DBA |
| Código de Pieza EBEE | E822396443 |
| Paquete | DFN-8L(5x6) |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | DFN-8L(5x6) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Gallium Nitride (GaN) ,Transitores GaN (GaN HEMT) | |
| Hoja de Datos | HXY MOSFET HCG65200DBA | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 160mΩ | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+150℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 0.4pF | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 83pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 27pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.3nC |
Guía de compra
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| 100+ | $2.3289 | $ 232.8900 |
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