| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | CID12N65D(TOKMAS) |
| Código de Pieza EBEE | E821547657 |
| Paquete | DFN-10(6x8) |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | DFN-10(6x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0717 | $ 1.0717 |
| 10+ | $0.8733 | $ 8.7330 |
| 30+ | $0.7733 | $ 23.1990 |
| 100+ | $0.6748 | $ 67.4800 |
| 500+ | $0.6161 | $ 308.0500 |
| 1000+ | $0.5843 | $ 584.3000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Gallium Nitride (GaN) ,Transitores GaN (GaN HEMT) | |
| Hoja de Datos | Tokmas CID12N65D(TOKMAS) | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 138mΩ | |
| Temperatura de funcionamiento - | -40℃~+125℃ | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11.5A | |
| Output Capacitance(Coss) | 30pF |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0717 | $ 1.0717 |
| 10+ | $0.8733 | $ 8.7330 |
| 30+ | $0.7733 | $ 23.1990 |
| 100+ | $0.6748 | $ 67.4800 |
| 500+ | $0.6161 | $ 308.0500 |
| 1000+ | $0.5843 | $ 584.3000 |
