35% off
Recommonended For You
Las imágenes son solo para referencia
Añadir a Favoritos
HXY MOSFET HCG65200DAA
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | HCG65200DAA |
| Código de Pieza EBEE | E822396442 |
| Paquete | DFN-8(8x8) |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
¡Estos materiales soportan cables personalizados!
Saber más >>5 En Stock para Envío Rápido
5 disponible para envío inmediatoPuede Enviarse en 1-2 Días Hábiles
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7225 | $ 2.7225 |
| 10+ | $2.3276 | $ 23.2760 |
| 30+ | $2.0925 | $ 62.7750 |
| 100+ | $1.8552 | $ 185.5200 |
| 500+ | $1.7460 | $ 873.0000 |
| 1000+ | $1.6964 | $ 1696.4000 |
¿Mejor precio para mayor cantidad?
$
Recomendado Para Ti
Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Gallium Nitride (GaN) ,Transitores GaN (GaN HEMT) | |
| Hoja de Datos | HXY MOSFET HCG65200DAA | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 160mΩ | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+150℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 0.4pF | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 83pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 27pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.3nC |
Guía de compra
Expandir
5 Stock for Shipping Fast
5 available for immediate shippingPuede Enviarse en 1-2 Días Hábiles
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7225 | $ 2.7225 |
| 10+ | $2.3276 | $ 23.2760 |
| 30+ | $2.0925 | $ 62.7750 |
| 100+ | $1.8552 | $ 185.5200 |
| 500+ | $1.7460 | $ 873.0000 |
| 1000+ | $1.6964 | $ 1696.4000 |
¿Mejor precio para mayor cantidad?
$
