| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | CID10N65F |
| Código de Pieza EBEE | E822446732 |
| Paquete | TO-220F-3L |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | TO-220F-3L GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2872 | $ 1.2872 |
| 10+ | $1.0863 | $ 10.8630 |
| 50+ | $0.9759 | $ 48.7950 |
| 100+ | $0.8509 | $ 85.0900 |
| 500+ | $0.7966 | $ 398.3000 |
| 1000+ | $0.7713 | $ 771.3000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Gallium Nitride (GaN) ,Transitores GaN (GaN HEMT) | |
| Hoja de Datos | Tokmas CID10N65F | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -50℃~+150℃ | |
| Disipación de energía | 75W | |
| Total carga de la puerta | 2.3nC | |
| Dañan la resistencia estatal de la fuente | - | |
| Dañan la resistencia estatal de la fuente | - | |
| Dañan la resistencia estatal de la fuente | 160mΩ | |
| Dañan la resistencia estatal de la fuente | - | |
| Vuelta de ruptura de fuentes de drenaje | 650V | |
| Drain Fuente Resistencia al Estado (8V) | - | |
| Tipo de transistor | 1 N-Channel | |
| Corriente de drenaje continuo | 10A | |
| Puerta de la Puerta de Tensión Voltageu200b | 1.6V | |
| Reverse transferencia Capacitance | 0.4pF | |
| Capacitación de entrada | 83pF | |
| Capacitación de salida | 27pF |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2872 | $ 1.2872 |
| 10+ | $1.0863 | $ 10.8630 |
| 50+ | $0.9759 | $ 48.7950 |
| 100+ | $0.8509 | $ 85.0900 |
| 500+ | $0.7966 | $ 398.3000 |
| 1000+ | $0.7713 | $ 771.3000 |
