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PN Junction Semiconductor P1H06300D8
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | P1H06300D8 |
| Código de Pieza EBEE | E85840753 |
| Paquete | DFN8080-8 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| Descripción | DFN8080-8 GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $11.3688 | $ 11.3688 |
| 200+ | $4.5361 | $ 907.2200 |
| 500+ | $4.3844 | $ 2192.2000 |
| 1000+ | $4.3095 | $ 4309.5000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Gallium Nitride (GaN) ,Transitores GaN (GaN HEMT) | |
| Hoja de Datos | PN Junction Semiconductor P1H06300D8 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Disipación de energía | 55.5W | |
| Vuelta de ruptura de fuentes de drenaje | 650V | |
| Tipo de transistor | 1 N-Channel | |
| Corriente de drenaje continuo | 10A |
Guía de compra
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
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| 200+ | $4.5361 | $ 907.2200 |
| 500+ | $4.3844 | $ 2192.2000 |
| 1000+ | $4.3095 | $ 4309.5000 |
