| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | FGH50T65SQD-F155 |
| Código de Pieza EBEE | E8132704 |
| Paquete | TO-247-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 268W 100A 650V FS(Field Stop) TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.0551 | $ 4.0551 |
| 10+ | $3.5064 | $ 35.0640 |
| 30+ | $3.1804 | $ 95.4120 |
| 100+ | $2.8507 | $ 285.0700 |
| 500+ | $2.6986 | $ 1349.3000 |
| 1000+ | $2.6298 | $ 2629.8000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,Transistores IGBT / Módulos | |
| Hoja de Datos | onsemi FGH50T65SQD-F155 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo | FS(Field Stop) | |
| Corriente de Coleccionista (Ic) | 100A | |
| Disipación de energía (Pd) | 268W | |
| Turno? fuera de horario de demora (Td(off)) | 105ns | |
| Turno? en Tiempo de retardo (Td(on)) | 22ns | |
| Colector-Emiter Breakdown Voltage (Vces) | 650V | |
| Capacitación de entrada (Cies-Vce) | - | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge (Vge (th) .Ic) | 2.1V@15V,50A | |
| Total Gate Charge (Qg-Ic,Vge) | 99nC | |
| Diode Tiempo de recuperación inversa (Trr) | 31ns | |
| Turno? Desconseos de la pérdida de apagado (Eoff) | 0.045mJ | |
| Turno? en Switching Pérdida (Eon) | 0.18mJ |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.0551 | $ 4.0551 |
| 10+ | $3.5064 | $ 35.0640 |
| 30+ | $3.1804 | $ 95.4120 |
| 100+ | $2.8507 | $ 285.0700 |
| 500+ | $2.6986 | $ 1349.3000 |
| 1000+ | $2.6298 | $ 2629.8000 |
