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NXP Semicon A3G26H200W17SR3
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | A3G26H200W17SR3 |
| Código de Pieza EBEE | E83288699 |
| Paquete | NI-780S-4S2S |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | NI-780S-4S2S GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $239.8924 | $ 239.8924 |
| 250+ | $92.8358 | $ 23208.9500 |
| 500+ | $89.5727 | $ 44786.3500 |
| 1000+ | $87.9614 | $ 87961.4000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Gallium Nitride (GaN) ,Transitores GaN (GaN HEMT) | |
| Hoja de Datos | NXP Semicon A3G26H200W17SR3 | |
| RoHS |
Guía de compra
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| 500+ | $89.5727 | $ 44786.3500 |
| 1000+ | $87.9614 | $ 87961.4000 |
