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NITRIDE YHJ-65P080DA
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | YHJ-65P080DA |
| Código de Pieza EBEE | E837328928 |
| Paquete | DFN-8(8x8) |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $10.9205 | $ 10.9205 |
| 200+ | $4.3576 | $ 871.5200 |
| 500+ | $4.2130 | $ 2106.5000 |
| 1000+ | $4.1399 | $ 4139.9000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Gallium Nitride (GaN) ,Transitores GaN (GaN HEMT) | |
| Hoja de Datos | NITRIDE YHJ-65P080DA | |
| RoHS |
Guía de compra
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| 500+ | $4.2130 | $ 2106.5000 |
| 1000+ | $4.1399 | $ 4139.9000 |
