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miracle MGZ18N65
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | MGZ18N65 |
| Código de Pieza EBEE | E817702019 |
| Paquete | DFN8x8-3L |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | DFN8x8-3L GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
¡Estos materiales soportan cables personalizados!
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6663 | $ 0.6663 |
| 10+ | $0.5402 | $ 5.4020 |
| 30+ | $0.4780 | $ 14.3400 |
| 100+ | $0.4141 | $ 41.4100 |
| 500+ | $0.3768 | $ 188.4000 |
| 1000+ | $0.3581 | $ 358.1000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Gallium Nitride (GaN) ,Transitores GaN (GaN HEMT) | |
| Hoja de Datos | miracle MGZ18N65 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 150mΩ | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+150℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 1pF | |
| Pd - Power Dissipation | 52W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 13A | |
| Ciss-Input Capacitance | 598pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 30pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8nC |
Guía de compra
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6663 | $ 0.6663 |
| 10+ | $0.5402 | $ 5.4020 |
| 30+ | $0.4780 | $ 14.3400 |
| 100+ | $0.4141 | $ 41.4100 |
| 500+ | $0.3768 | $ 188.4000 |
| 1000+ | $0.3581 | $ 358.1000 |
