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Infineon Technologies IGW25T120
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | IGW25T120 |
| Código de Pieza EBEE | E8536094 |
| Paquete | TO-247-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,Single IGBTs | |
| Hoja de Datos | Infineon IGW25T120 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -40℃~+150℃ | |
| Colector-Emiter Breakdown Voltage (Vces) | 1.2kV | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge (Vge (th) .Ic) | 5V@1mA | |
| Pd - Power Dissipation | 190W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 155nC@15V | |
| Td(off) | 560ns | |
| Td(on) | 50ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 82pF | |
| Switching Energy(Eoff) | 2.2mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 2mJ | |
| Output Capacitance(Coes) | 96pF |
Guía de compra
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