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Infineon Technologies IGW08T120
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | IGW08T120 |
| Código de Pieza EBEE | E8536088 |
| Paquete | TO-247-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,Single IGBTs | |
| Hoja de Datos | Infineon IGW08T120 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -40℃~+150℃ | |
| Colector-Emiter Breakdown Voltage (Vces) | 1.2kV | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge (Vge (th) .Ic) | [email protected] | |
| Pd - Power Dissipation | 70W | |
| Gate Charge(Qg) | 53nC@15V | |
| Td(off) | 70ns | |
| Td(on) | 40ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 28pF | |
| Switching Energy(Eoff) | 700uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 700uJ | |
| Output Capacitance(Coes) | 36pF |
Guía de compra
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