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STMicroelectronics STGD4M65DF2


Fabricante
Código de Pieza del Fabricante
STGD4M65DF2
Código de Pieza EBEE
E8222118
Paquete
DPAK
Número de Cliente
Hoja de Datos
Modelos EDA
ECCN
EAR99
Descripción
68W 8A 650V FS(Field Stop) TO-252-2(DPAK) IGBT Transistors / Modules ROHS
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TipoDescripción
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CategoríaTransestantes/Thyristors ,Transistores IGBT / Módulos
Hoja de DatosSTMicroelectronics STGD4M65DF2
RoHS
Temperatura de funcionamiento-55℃~+175℃@(Tj)
Colector-Emiter Breakdown Voltage (Vces)650V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge (Vge (th) .Ic)5V@250uA
Pd - Power Dissipation68W
IGBT TypeFS (Field Stop)
Gate Charge(Qg)15.2nC
Td(off)86ns
Td(on)12ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)8pF
Reverse Recovery Time(trr)133ns
Switching Energy(Eoff)136uJ
Turn-On Energy (Eon)40uJ
Input Capacitance(Cies)369pF
Pulsed Current- Forward(Ifm)16A
Output Capacitance(Coes)24.8pF

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