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Wuxi NCE Power Semiconductor NCE4953
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | NCE4953 |
| EBEE-Teilenummer | E895270 |
| Gehäuse | SOP-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | None |
| Beschreibung | 30V 5.1A 55mΩ@10V,5.1A 2.5W 1.6V@250uA 2 P-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1225 | $ 0.6125 |
| 50+ | $0.0947 | $ 4.7350 |
| 150+ | $0.0808 | $ 12.1200 |
| 500+ | $0.0704 | $ 35.2000 |
| 2500+ | $0.0621 | $ 155.2500 |
| 4000+ | $0.0579 | $ 231.6000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | NCE NCE4953 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 55mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 70pF | |
| Number | 2 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 520pF | |
| Gate Charge(Qg) | 11nC |
Einkaufsleitfaden
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| 50+ | $0.0947 | $ 4.7350 |
| 150+ | $0.0808 | $ 12.1200 |
| 500+ | $0.0704 | $ 35.2000 |
| 2500+ | $0.0621 | $ 155.2500 |
| 4000+ | $0.0579 | $ 231.6000 |
