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STMicroelectronics STB15N80K5
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STB15N80K5 |
| EBEE-Teilenummer | E8500932 |
| Gehäuse | D2PAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 800V 14A 0.375Ω@10V,7A 190W 3V@100uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STB15N80K5 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 375mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 1.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 190W | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 14A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.1nF | |
| Gate Charge(Qg) | 32nC@640V |
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