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WEIDA 2N65M
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2N65M |
| EBEE-Teilenummer | E87433961 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 650V 4A TO-252 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1551 | $ 0.7755 |
| 50+ | $0.1201 | $ 6.0050 |
| 150+ | $0.1051 | $ 15.7650 |
| 500+ | $0.0864 | $ 43.2000 |
| 2500+ | $0.0780 | $ 195.0000 |
| 5000+ | $0.0730 | $ 365.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | WEIDA 2N65M | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 3.8Ω@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 6pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 35W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 290pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 31pF | |
| Gate Charge(Qg) | 9nC |
Einkaufsleitfaden
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