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Vishay Intertech SUP85N10-10-E3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SUP85N10-10-E3 |
| EBEE-Teilenummer | E8222562 |
| Gehäuse | TO-220AB |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 85A 3.75W 0.0105Ω@10V,85A 3V@250uA 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $2.1550 | $ 21.5500 |
| 50+ | $2.0809 | $ 104.0450 |
| 100+ | $2.0067 | $ 200.6700 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY SUP85N10-10-E3 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 12mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 265pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 85A | |
| Ciss-Input Capacitance | 6.55nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 665pF | |
| Gate Charge(Qg) | 160nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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