| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SUP60030E-GE3 |
| EBEE-Teilenummer | E83280723 |
| Gehäuse | TO-220AB |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 80V 120A 0.0034Ω@10V,120A 125W 4V@250uA 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3051 | $ 2.3051 |
| 200+ | $0.8926 | $ 178.5200 |
| 500+ | $0.8607 | $ 430.3500 |
| 1000+ | $0.8464 | $ 846.4000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY SUP60030E-GE3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 80V | |
| Dauerdr. | 120A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.0034Ω@10V,120A | |
| Stromableitung (Pd) | 125W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 348pF@40V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 7.91nF@40V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 94nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3051 | $ 2.3051 |
| 200+ | $0.8926 | $ 178.5200 |
| 500+ | $0.8607 | $ 430.3500 |
| 1000+ | $0.8464 | $ 846.4000 |
