| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SUP60020E-GE3 |
| EBEE-Teilenummer | E87325096 |
| Gehäuse | TO-220AB |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 80V 150A 2.4mΩ@10V,30A 375W 4V@250uA 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2488 | $ 4.2488 |
| 200+ | $1.6957 | $ 339.1400 |
| 500+ | $1.6399 | $ 819.9500 |
| 1000+ | $1.6121 | $ 1612.1000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY SUP60020E-GE3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 80V | |
| Dauerdr. | 150A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 2.4mΩ@10V,30A | |
| Stromableitung (Pd) | 375W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 50pF@40V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 10.68nF@40V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 227nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2488 | $ 4.2488 |
| 200+ | $1.6957 | $ 339.1400 |
| 500+ | $1.6399 | $ 819.9500 |
| 1000+ | $1.6121 | $ 1612.1000 |
