| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SUM90140E-GE3 |
| EBEE-Teilenummer | E85913329 |
| Gehäuse | D2PAK(TO-263) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 200V 90A 375W 17mΩ@10V,30A 4V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.1858 | $ 4.1858 |
| 200+ | $1.6712 | $ 334.2400 |
| 500+ | $1.6154 | $ 807.7000 |
| 800+ | $1.5876 | $ 1270.0800 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY SUM90140E-GE3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 200V | |
| Dauerdr. | 90A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 17mΩ@10V,30A | |
| Stromableitung (Pd) | 375W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 21pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 4.132nF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 96nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.1858 | $ 4.1858 |
| 200+ | $1.6712 | $ 334.2400 |
| 500+ | $1.6154 | $ 807.7000 |
| 800+ | $1.5876 | $ 1270.0800 |
