| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SUM90100E-GE3 |
| EBEE-Teilenummer | E83291118 |
| Gehäuse | TO-263(D2PAK) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 200V 150A 250W 0.0114Ω@10V,16A 4V@250uA 1 N-channel TO-263(D2PAK) MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0237 | $ 3.0237 |
| 200+ | $1.1712 | $ 234.2400 |
| 500+ | $1.1286 | $ 564.3000 |
| 800+ | $1.1091 | $ 887.2800 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY SUM90100E-GE3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 200V | |
| Dauerdr. | 150A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.0114Ω@10V,16A | |
| Stromableitung (Pd) | 250W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 12pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 3.93nF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 56.7nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0237 | $ 3.0237 |
| 200+ | $1.1712 | $ 234.2400 |
| 500+ | $1.1286 | $ 564.3000 |
| 800+ | $1.1091 | $ 887.2800 |
