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Vishay Intertech SUM70030E-GE3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SUM70030E-GE3 |
| EBEE-Teilenummer | E83291112 |
| Gehäuse | TO-263(D2PAK) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 150A 0.00288Ω@10V,30A 375W 4V@250uA 1 N-channel TO-263(D2PAK) MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $3.0257 | $ 30.2570 |
| 30+ | $2.9735 | $ 89.2050 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY SUM70030E-GE3 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 3.48mΩ@7.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 40pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 180W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 150A | |
| Ciss-Input Capacitance | 10.87nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 820pF | |
| Gate Charge(Qg) | 214nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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