| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SUM65N20-30-E3 |
| EBEE-Teilenummer | E8468006 |
| Gehäuse | TO-263 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 200V 65A 0.03Ω@10V,30A 3.75W 2V@250uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.8400 | $ 2.8400 |
| 10+ | $2.7815 | $ 27.8150 |
| 30+ | $2.7424 | $ 82.2720 |
| 100+ | $2.7034 | $ 270.3400 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY SUM65N20-30-E3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 200V | |
| Dauerdr. | 65A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.03Ω@10V,30A | |
| Stromableitung (Pd) | 3.75W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 210pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 5.1nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 130nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.8400 | $ 2.8400 |
| 10+ | $2.7815 | $ 27.8150 |
| 30+ | $2.7424 | $ 82.2720 |
| 100+ | $2.7034 | $ 270.3400 |
