| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SIHP14N50D-E3 |
| EBEE-Teilenummer | E85753931 |
| Gehäuse | TO-220AB |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 500V 9A 400mΩ@10V,7A 208W 5V@250uA 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8643 | $ 3.8643 |
| 200+ | $1.5425 | $ 308.5000 |
| 500+ | $1.4913 | $ 745.6500 |
| 1000+ | $1.4658 | $ 1465.8000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY SIHP14N50D-E3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 500V | |
| Dauerdr. | 9A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 400mΩ@10V,7A | |
| Stromableitung (Pd) | 208W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 5V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.144nF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 58nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8643 | $ 3.8643 |
| 200+ | $1.5425 | $ 308.5000 |
| 500+ | $1.4913 | $ 745.6500 |
| 1000+ | $1.4658 | $ 1465.8000 |
