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Vishay Intertech SIHFR024-GE3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SIHFR024-GE3 |
| EBEE-Teilenummer | E85900015 |
| Gehäuse | TO-252AA |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 14A 100mΩ@10V,8.4A 4V@250uA 1 N-channel TO-252AA MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8539 | $ 0.8539 |
| 200+ | $0.3416 | $ 68.3200 |
| 500+ | $0.3294 | $ 164.7000 |
| 1000+ | $0.3242 | $ 324.2000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY SIHFR024-GE3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 60V | |
| Dauerdr. | 14A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 100mΩ@10V,8.4A | |
| Stromableitung (Pd) | 2.5W;42W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 640pF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 25nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 1000+ | $0.3242 | $ 324.2000 |
