| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SIHFL210TR-GE3 |
| EBEE-Teilenummer | E87081447 |
| Gehäuse | SOT-223 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 200V 960mA 1.5Ω@10V,580mA 4V@250uA 1 N-channel SOT-223 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2214 | $ 1.2214 |
| 200+ | $0.4883 | $ 97.6600 |
| 500+ | $0.4722 | $ 236.1000 |
| 1000+ | $0.4632 | $ 463.2000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY SIHFL210TR-GE3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 200V | |
| Dauerdr. | 960mA | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 1.5Ω@10V,580mA | |
| Stromableitung (Pd) | 2W;3.1W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 140pF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 8.2nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2214 | $ 1.2214 |
| 200+ | $0.4883 | $ 97.6600 |
| 500+ | $0.4722 | $ 236.1000 |
| 1000+ | $0.4632 | $ 463.2000 |
