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Vishay Intertech SIHFB11N50A-E3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SIHFB11N50A-E3 |
| EBEE-Teilenummer | E87316152 |
| Gehäuse | TO-220AB |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 500V 7A 170W 520mΩ@10V,6.6A 4V@250uA 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.6657 | $ 4.6657 |
| 200+ | $1.8620 | $ 372.4000 |
| 500+ | $1.7999 | $ 899.9500 |
| 1000+ | $1.7688 | $ 1768.8000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY SIHFB11N50A-E3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 500V | |
| Dauerdr. | 7A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 520mΩ@10V,6.6A | |
| Stromableitung (Pd) | 170W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.423nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 52nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $1.7999 | $ 899.9500 |
| 1000+ | $1.7688 | $ 1768.8000 |
