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Vishay Intertech SIHF8N50D-E3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SIHF8N50D-E3 |
| EBEE-Teilenummer | E86680010 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 500V 5.5A 33W 850mΩ@10V,4A 5V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.8823 | $ 1.8823 |
| 200+ | $0.7512 | $ 150.2400 |
| 500+ | $0.7268 | $ 363.4000 |
| 1000+ | $0.7146 | $ 714.6000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY SIHF8N50D-E3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 500V | |
| Dauerdr. | 5.5A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 850mΩ@10V,4A | |
| Stromableitung (Pd) | 33W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 5V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 527pF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 30nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 500+ | $0.7268 | $ 363.4000 |
| 1000+ | $0.7146 | $ 714.6000 |
