| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SIHF22N60E-E3 |
| EBEE-Teilenummer | E87363738 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 13A 35W 180mΩ@10V,11A 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $5.1822 | $ 5.1822 |
| 200+ | $2.0682 | $ 413.6400 |
| 500+ | $1.9988 | $ 999.4000 |
| 1000+ | $1.9641 | $ 1964.1000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY SIHF22N60E-E3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 600V | |
| Dauerdr. | 13A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 180mΩ@10V,11A | |
| Stromableitung (Pd) | 35W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 6pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.92nF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 86nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $5.1822 | $ 5.1822 |
| 200+ | $2.0682 | $ 413.6400 |
| 500+ | $1.9988 | $ 999.4000 |
| 1000+ | $1.9641 | $ 1964.1000 |
