| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SIHF080N60E-GE3 |
| EBEE-Teilenummer | E83280450 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 9A 0.07Ω@10V,17A 35W 3V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.2810 | $ 3.2810 |
| 200+ | $1.2705 | $ 254.1000 |
| 500+ | $1.2261 | $ 613.0500 |
| 1000+ | $1.2031 | $ 1203.1000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY SIHF080N60E-GE3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 600V | |
| Dauerdr. | 9A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.07Ω@10V,17A | |
| Stromableitung (Pd) | 35W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 6pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 2557pF | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 63nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.2810 | $ 3.2810 |
| 200+ | $1.2705 | $ 254.1000 |
| 500+ | $1.2261 | $ 613.0500 |
| 1000+ | $1.2031 | $ 1203.1000 |
