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Vishay Intertech SIHD2N80E-GE3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SIHD2N80E-GE3 |
| EBEE-Teilenummer | E83291011 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 800V 2.8A 62.5W 2.38Ω@10V,1A 2V@250uA 1 N-channel TO-252AA MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $0.8163 | $ 8.1630 |
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| 75+ | $0.6081 | $ 45.6075 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY SIHD2N80E-GE3 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 2.75Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 6pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 62.5W | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 315pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 20pF | |
| Gate Charge(Qg) | 90nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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