Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
Vishay Intertech SIHD2N80AE-GE3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SIHD2N80AE-GE3 |
| EBEE-Teilenummer | E85900009 |
| Gehäuse | TO-252AA |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 800V 1.8A 2.9Ω@10V,500mA 62.5W 2V@250uA 1 N-channel TO-252AA MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>Auf Lager : Bitte anfragen
Bitte senden Sie eine RFQ, wir werden sofort antworten.
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5005 | $ 1.5005 |
| 200+ | $0.5988 | $ 119.7600 |
| 500+ | $0.5787 | $ 289.3500 |
| 1000+ | $0.5696 | $ 569.6000 |
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY SIHD2N80AE-GE3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 800V | |
| Dauerdr. | 1.8A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 2.9Ω@10V,500mA | |
| Stromableitung (Pd) | 62.5W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 180pF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 10.5nC@10V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
Auf Lager : Bitte anfragen
Bitte senden Sie eine RFQ, wir werden sofort antworten.
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5005 | $ 1.5005 |
| 200+ | $0.5988 | $ 119.7600 |
| 500+ | $0.5787 | $ 289.3500 |
| 1000+ | $0.5696 | $ 569.6000 |
