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Vishay Intertech SIHB24N65E-E3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SIHB24N65E-E3 |
| EBEE-Teilenummer | E87316105 |
| Gehäuse | D2PAK(TO-263) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 24A 145mΩ@10V,12A 250W 4V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $8.6632 | $ 8.6632 |
| 200+ | $3.4572 | $ 691.4400 |
| 500+ | $3.3422 | $ 1671.1000 |
| 1000+ | $3.2838 | $ 3283.8000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY SIHB24N65E-E3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 24A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 145mΩ@10V,12A | |
| Stromableitung (Pd) | 250W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 2.74nF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 122nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $3.3422 | $ 1671.1000 |
| 1000+ | $3.2838 | $ 3283.8000 |
